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硅透鏡 vs 玻璃透鏡
  • 光學性能更優
  • 開發制造更高效
  • 量產更友好
高速光模塊已大批量應用,頭部客戶100%使用硅透鏡
硅電容 vs 陶瓷電容
  • 容值更穩定
  • 高頻性能更優
  • 布線更緊湊
硅電容優勢明顯,已突破標桿客戶
光模塊場景
OCS場景
WSS場景
光互聯OIO
CPO/NPO
金屬標記透鏡
技術特點
? 實現精準光學對準
帶U槽的硅透鏡
技術特點

?  劃切U型槽

?  防止UV膠水溢流到透鏡表面

雙面正交柱透鏡
技術特點

?  可同時調控X/Y方向光斑,提升光場整形精度 

槽中柱透鏡
技術特點

? 光刻-刻蝕/納米壓印-刻蝕工藝

? 槽中球或柱透鏡結構

? 球或非球面型

? 支持雙面結構

? 支持定制陣列通道數

槽中球透鏡
技術特點

? 光刻-刻蝕/納米壓印-刻蝕工藝

? 槽中球或柱透鏡結構

? 球或非球面型

? 支持雙面結構

? 支持定制陣列通道數

雙面柱透鏡陣列
技術特點

? 光刻-刻蝕/納米壓印-刻蝕工藝

? 槽中球或柱透鏡結構

? 球或非球面型

? 支持雙面結構

? 支持定制陣列通道數

  • 2D TSV硅通孔陣列
  • 二維硅透鏡陣列
2D?TSV硅通孔陣列
技術特點

? 硅通孔陣列厚度: 2mm

? 孔徑精度: 125.75um ~ 127.25um

? Pitch精度: ±0.3um

? 保證通孔陣列平行度

? 可定制通孔陣列通道數

二維硅透鏡陣列
技術特點

? ROC陣列內均勻性: ±0.5%

? Pitch精度: ±0.3um

? 可定制球面或非球面面型

? 可定制陣列通道數

    透鏡陣列
    • 槽中柱透鏡
    • 槽中球透鏡
    • 雙面柱透鏡陣列
  • 壓印閃耀光柵
槽中球透鏡
技術特點

? 光刻-刻蝕/納米壓印-刻蝕工藝

? 槽中球或柱透鏡結構

? 球或非球面型

? 支持雙面結構

? 支持定制陣列通道數

槽中柱透鏡
技術特點

? 光刻-刻蝕/納米壓印-刻蝕工藝

? 槽中球或柱透鏡結構

? 球或非球面型

? 支持雙面結構

? 支持定制陣列通道數

雙面柱透鏡陣列
技術特點

? 光刻-刻蝕/納米壓印-刻蝕工藝

? 槽中球或柱透鏡結構

? 球或非球面型

? 支持雙面結構

? 支持定制陣列通道數

壓印閃耀光柵
技術特點

具備高衍射效率、低偏振相關性和優異的波前質量,滿足WSS系統對信號通道隔離度和穩定性的要求;波長范圍及入射角可根據客戶需求定制。

? 襯底材料:熔融石英

? 衍射效率:>92%

? 偏振相關損耗:<0.2dB

? 設計波長范圍: C, L

    • 3*13定位槽透鏡陣列
    • 4*20透鏡陣列
3*13定位槽透鏡陣列
技術特點

? 晶圓級光刻工藝,ROC陣列內均勻性:±1%,Pitch精度:±0.3um

? 可定制球面或非球面面型,可定制陣列通道數

4*20透鏡陣列
技術特點

? 晶圓級光刻工藝,ROC陣列內均勻性:±1%,Pitch精度:±0.3um

? 可定制球面或非球面面型,可定制陣列通道數

定位槽透鏡陣列
技術特點

? 晶圓級光刻工藝,ROC陣列內均勻性:±1%,Pitch精度:±0.3um

? 可定制球面或非球面面型,可定制陣列通道數

寬頻硅電容
技術特點

改善高頻特性 

? 插入損耗 <1dB @150GHz 

緊湊的走線 

? 底部電極結構節省貼裝面積 

? 減少寄生電容效應

差分硅電容
技術特點

改善高頻特性

? 差分信號插入損耗 <1dB @110GHz

? 二合一設計進一步節省貼裝面積

? 減少寄生效應與互擾

多端子硅電容(12端子)
技術特點

? 高容值密度 2μF/mm2 

? 穩定性:隨溫度和偏置電壓變化,電容保持高穩定性 

? 超低 ESR ESL等寄生參數 

? 薄型設計靈活貼裝:厚度最小 70 μm

透鏡棱鏡組件
技術特點

高度集成: 

? 45° 反射鏡集成透鏡陣列 

? 87~90° 夾角設計,降低回波損耗(RL) 

? 增透膜(AR coating): 

    1310nm±50nm 波段反射率<1% 

    1545nm-1555nm 波段反射率<0.2%

帶槽/不帶槽透鏡陣列
技術特點

? 多球陣列,適配多通道高集成度的PIC設計 

? 槽中球結構集成Spacer,亦可避免球面臟污及磨損

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