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硅透鏡 vs 玻璃透鏡
  • 光學(xué)性能更優(yōu)
  • 開(kāi)發(fā)制造更高效
  • 量產(chǎn)更友好
高速光模塊已大批量應(yīng)用,頭部客戶100%使用硅透鏡
硅電容 vs 陶瓷電容
  • 容值更穩(wěn)定
  • 高頻性能更優(yōu)
  • 布線更緊湊
硅電容優(yōu)勢(shì)明顯,已突破標(biāo)桿客戶
光學(xué)產(chǎn)品
電學(xué)產(chǎn)品
單透鏡
  • 金屬標(biāo)記透鏡
  • 帶U槽的硅透鏡
  • 雙面正交柱透鏡
透鏡陣列
  • 槽中柱透鏡
  • 槽中球透鏡
  • 雙面柱透鏡陣列
  • 帶V槽的硅透鏡
金屬標(biāo)記透鏡
技術(shù)特點(diǎn)
? 實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)光學(xué)對(duì)準(zhǔn)
帶U槽的硅透鏡
技術(shù)特點(diǎn)

?  劃切U型槽

?  防止UV膠水溢流到透鏡表面

雙面正交柱透鏡
技術(shù)特點(diǎn)

?  可同時(shí)調(diào)控X/Y方向光斑,提升光場(chǎng)整形精度 

槽中柱透鏡
技術(shù)特點(diǎn)

? 光刻-刻蝕/納米壓印-刻蝕工藝

? 槽中球或柱透鏡結(jié)構(gòu)

? 球或非球面型

? 支持雙面結(jié)構(gòu)

? 支持定制陣列通道數(shù)

槽中球透鏡
技術(shù)特點(diǎn)

? 光刻-刻蝕/納米壓印-刻蝕工藝

? 槽中球或柱透鏡結(jié)構(gòu)

? 球或非球面型

? 支持雙面結(jié)構(gòu)

? 支持定制陣列通道數(shù)

雙面柱透鏡陣列
技術(shù)特點(diǎn)

? 光刻-刻蝕/納米壓印-刻蝕工藝

? 槽中球或柱透鏡結(jié)構(gòu)

? 球或非球面型

? 支持雙面結(jié)構(gòu)

? 支持定制陣列通道數(shù)

帶V槽的硅透鏡
技術(shù)特點(diǎn)

? U型槽可以防止UV膠水溢流到透鏡表面

? V型槽可以同時(shí)用于識(shí)別和防溢UV膠水

  • 硅IPD
  • 寬頻硅電容
  • 差分硅電容
  • 打線硅電容
  • 打線排列硅電容
  • 硅IPD
    技術(shù)特點(diǎn)

    ? 三維尺寸: 1.8*0.82*0.45mm

    ? 集成無(wú)源器件(電阻、電容)

    ? 插損-1dB帶寬最高超過(guò)67GHz

    ? 回?fù)p保持在-20dB左右

    ? 可提供公版樣品做性能測(cè)試

    ? 可根據(jù)客戶要求定制

    寬頻硅電容
    技術(shù)特點(diǎn)

    改善高頻特性 

    ? 插入損耗 <1dB @150GHz 

    緊湊的走線 

    ? 底部電極結(jié)構(gòu)節(jié)省貼裝面積 

    ? 減少寄生電容效應(yīng)

    差分硅電容
    技術(shù)特點(diǎn)

    改善高頻特性

    ? 差分信號(hào)插入損耗 <1dB @110GHz

    ? 二合一設(shè)計(jì)進(jìn)一步節(jié)省貼裝面積

    ? 減少寄生效應(yīng)與互擾

    打線硅電容
    技術(shù)特點(diǎn)

    ? 尺寸小巧,且具備高擊穿電壓(BV150) 

    ? 穩(wěn)定性:電容不隨偏置電壓變化 

    ? 工作溫度范圍:-55 ~150℃ 

    ? 薄型設(shè)計(jì):厚度 100 μm

    打線排列硅電容
    技術(shù)特點(diǎn)

    ? 集成設(shè)計(jì),進(jìn)一步節(jié)省貼裝面積

    ? 減少貼裝工序,防止溢膠

    ? 穩(wěn)定性:電容不隨偏置電壓變化

    ? 工作溫度范圍:-55 ~150℃

    ? 薄型設(shè)計(jì):厚度 100 μm

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    銷售產(chǎn)品:硅電容器/硅IPD

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